随着5G通信、人工智能加速和高性能计算（HPC）负载的激增，功率器件的集成度与算力密度持续提升，芯片单位面积热流密度显著上升。传统散热技术如铜基散热器、热管与风冷系统在面对数百甚至上千W/cm²的热点时已逼近极限。
金刚石热导率是铜的4-5倍
高质量CVD或单晶形态金刚石热导率达1800-2200W/m·K，能够快速将局部热点"摊铺"并传递到冷却通道，显著降低芯片和连接层的峰值温度。
金刚石热膨胀系数(1-5ppm/K)与半导体芯片材料(3-6ppm/K)更为匹配，大幅减少热应力问题，提高设备可靠性。
微米级通道结构提供极大比表面积，通过液体冷却剂高效循环带走热量，可根据热流分布优化通道密度。
金刚石-铜(DC)复合材料实现热导率、热膨胀系数匹配与机械强度之间的最佳平衡。
一体化微通道热沉降低界面热阻与装配复杂度，在流动沸腾条件下展现更稳定的压降和换热特性。
单机柜功耗从30kW升至100kW，金刚石微通道散热器可处理500W/cm²以上的热流密度，为百亿亿次级计算机提供关键散热支持。
5G/6G基站功放模块热流密度超越传统散热极限，使用金刚石微通道散热方案后，散热效率可提升15-20%，能耗显著降低。
SiC MOSFET在高压大电流下工作产生大量热量，金刚石微通道基板提供高效散热解决方案，支持800V及更高电压平台的发展需求。
采用表面金属化(镀Cr/Cu、镀银/镀铟等)与缓冲层技术，优化润湿性与界面声子/电子耦合，减少界面热阻。
开发低成本大面积热导金刚石薄膜，结合模具化转移/低温粘接技术，降低加工复杂度和制造成本。
国机精工掌握MPCVD、HPHT两大核心路线，具备完整产业链布局，计划到2027年产能达100万克拉级。
在产业链完整性与客户验证方面已接近ElementSix(英国)、住友电工(日本)等国际龙头水平，打破国际厂商垄断格局。
开发低厚度、高导热的金刚石表面金属化技术与缓冲层，优化界面性能。加强冷却体系联合优化。
推进分级复合与功能梯度材料开发，通过体积分数梯度设计降低CTE突变。持续优化制造工艺，降低成本，扩大应用范围。
金刚石微通道基板代表了高功率芯片散热技术的前沿发展方向，其卓越的热导性能和创新的结构设计使其能够应对未来更高功率密度的散热挑战。随着材料技术、制造工艺和系统集成方案的不断成熟，金刚石微通道散热解决方案将在人工智能、5G/6G通信、新能源汽车和高性能计算等领域发挥越来越重要的作用。
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